Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

zamknij

Tranzystor IGBT MBM200GS12A 1,2kV 200A HITACHI

109,00 zł
Brutto
88,62 zł netto
  • HITACHI MBM200GS12A
  • MBM200GS12 A MBM200 GS12A
  • tranzystor IGBT
  • Napięcie wsteczne maks. 1.2kV - 1200V
  • Prąd kolektora: 200A
  • Moc: 1kW
  • Prąd w impulsie maks. 400A
  • Montaż: przykręcany
  • Temperatura pracy: -40...125°C
  • MADE IN JAPAN
  • używany, sprawny, nienaprawiany, pochodzi z demontażu
  • cena Brutto, wystawiamy Faktury VAT

ID 465

Ilość
Obecnie brak na stanie magazynu

 

Gwarancja rozruchowa 30 dni

 

Szybka dostawa kurierska

 

Możliwość zwrotu w ciągu 14 dni

  • HITACHI MBM200GS12A
  • MBM200GS12 A MBM200 GS12A
  • tranzystor IGBT
  • Napięcie wsteczne maks. 1.2kV - 1200V
  • Prąd kolektora: 200A
  • Moc: 1kW
  • Prąd w impulsie maks. 400A
  • Montaż: przykręcany
  • Temperatura pracy: -40...125°C
  • MADE IN JAPAN
  • używany, sprawny, nienaprawiany, pochodzi z demontażu
  • cena Brutto, wystawiamy Faktury VAT

ID 465

HITACHI

Opis

napięcie
1200V - 1.2kV
ampery
200A
Używane