Tranzystor IGBT MBM200GS12A 1,2kV 200A HITACHI
109,00 zł
Brutto
88,62 zł
netto
- HITACHI MBM200GS12A
- MBM200GS12 A MBM200 GS12A
- tranzystor IGBT
- Napięcie wsteczne maks. 1.2kV - 1200V
- Prąd kolektora: 200A
- Moc: 1kW
- Prąd w impulsie maks. 400A
- Montaż: przykręcany
- Temperatura pracy: -40...125°C
- MADE IN JAPAN
- używany, sprawny, nienaprawiany, pochodzi z demontażu
- cena Brutto, wystawiamy Faktury VAT
ID 465
Gwarancja rozruchowa 30 dni
Szybka dostawa kurierska
Możliwość zwrotu w ciągu 14 dni
- HITACHI MBM200GS12A
- MBM200GS12 A MBM200 GS12A
- tranzystor IGBT
- Napięcie wsteczne maks. 1.2kV - 1200V
- Prąd kolektora: 200A
- Moc: 1kW
- Prąd w impulsie maks. 400A
- Montaż: przykręcany
- Temperatura pracy: -40...125°C
- MADE IN JAPAN
- używany, sprawny, nienaprawiany, pochodzi z demontażu
- cena Brutto, wystawiamy Faktury VAT
ID 465